LZC811C/LZC8120 隔離反激升壓，工作在CCM模式做高壓全串200~600V 低電流輸出，80-200W 低成本穩(wěn)定性好

PSR & PFC LED驅(qū)動(dòng)控制器

LZC811C是一個(gè)單電源階段，隔離和初級(jí)側(cè)LED照明達(dá)到高功率因數(shù)的調(diào)節(jié)器。專(zhuān)有的實(shí)時(shí)控制方法能準(zhǔn)確控制LED電流嗎一次側(cè)信息。它可以大大簡(jiǎn)化LED照明系統(tǒng)設(shè)計(jì)通過(guò)消除次要的一面反饋組件和opto -耦合器。LZC811C集成了有功功率因數(shù)在準(zhǔn)共振中校正和工作模式(QRM)，以減少M(fèi)OSFET開(kāi)關(guān)損失。在一個(gè)建筑700V啟動(dòng)MOSFET,IC可消除啟動(dòng)電阻器造成的電力損耗為照明提供率的解決方案應(yīng)用程序。外部可編程線路電壓補(bǔ)償提供更多的輸出電流貫穿整個(gè)通用交流輸入電壓范圍。在在CS / FB上的前緣消隱電路輸入消除信號(hào)故障并產(chǎn)生結(jié)果減少外部組件和系統(tǒng)成本。的多重保護(hù)功能LZC811C地增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性和安全性。LZC811C特性VDD和輸出過(guò)電壓保護(hù);輸出短路保護(hù)，循環(huán)循環(huán)電流限制和二次峰值電流保護(hù)CS pin,VDD UVLO和雙方和過(guò)熱保護(hù)。驅(qū)動(dòng)器輸出電壓在18V夾緊保護(hù)外部功率MOSFET。主要特點(diǎn)： 1.集成PFC,功率因數(shù)很高, 大部分情況下效率在90%以上, PFC 0.95到0.99, 2.原邊控制,省去光耦和相關(guān)電路,降低BOM cost 3.特的MOSFET控制技術(shù),對(duì)MOSFET和快恢復(fù)二極管的要求降低很多,不擇昂貴的MOSFET和二極管, 4.高功率因數(shù)、精度3%以?xún)?nèi),QR模式、 率、穩(wěn)定性高、一致性好、外圍器件少、空間小、。 方案是PSR(SSR)+PFC架構(gòu)的LED恒流控制芯片，同時(shí)支持原邊反饋（PSR）與其他業(yè)內(nèi)同類(lèi)芯片上比較增加 : 1、原邊電流保護(hù)功能,能夠檢測(cè)在LEB時(shí)間內(nèi)的過(guò)流； 2、同時(shí)集成LED短路,開(kāi)路保護(hù),過(guò)溫保護(hù)等功能. 尤其是過(guò)溫保護(hù)功能。是該芯片具備智能保護(hù)功能。當(dāng)電路檢測(cè)到芯片結(jié)溫度溫度超過(guò)145°C

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